目前，许多芯片封装都为BGA型，这类封装的[敏感词]优点就是能节约板上空间。常见的是芯片向上结构，对热处理要求较高的通畅是使用腔向下的结构。

多数封装都采用芯片键合技术将芯片与基板连接起来，并实现芯片与基板之间的电连接。BGA也如此，但更多是采用倒装芯片互连技术。采用倒装芯片设计可将散热片直接与芯片连接起来，达到更好散热的目的。

PBGA封装工艺流程

1.PBGA基板的制备

在BT树脂/玻璃芯板的两面压极薄（12-18um厚）的铜箔，然后进行钻孔和通孔金属化，通孔一般位于基板的四周；再用常规的PWB工艺（压膜、曝光、显影、蚀刻等）在基板的两面制作图形（导带、电极以及安装焊球的焊区阵列）；后形成介质阻焊膜并制作图形，露出电极及焊区。

2.封装工艺流程

圆片减薄→圆片切削→芯片粘结→清洗→引线键合→清洗→模塑封装→装配焊料球→回流焊→打标→分离→检查及测试→包装

芯片粘结：采用充银环氧树脂粘结剂（导电胶）将IC芯片粘结在镀有Ni-Au薄层的基板上

引线键合：粘结固化后用金丝球焊机将IC芯片上的焊区与基板上的镀Ni-Au的焊区以金线相连

模塑封装：用天有石英粉的环氧树脂模塑进行模塑包封，以保护芯片、焊接线及焊盘。

回流焊：固化之后，使用特设设计的吸拾工具（焊球自动拾放机）将浸有焊剂熔点为183℃、直径为30mil（0.75mm）的焊料球Sn62Pb36Ag2，或者Sn63Pb37放置在焊盘上，在传统的回流焊炉内在N2气氛下进行回流焊接（[敏感词]加工温度不超过230℃），焊球与镀Ni-Au的基板焊区焊接。

TBGA封装工艺流程

1.TBGA载带制作

TBGA载带是由聚酰亚胺PI材料制成的，在制作时，先在载带的两面覆铜，接着冲通孔和通孔金属化及制作出图形；然后镀镍、金，将带有金属化通孔和再分布图形的载带分割成单体。

封装热沉又是封装的加固体，也是管壳的芯腔基底，因此在封装前先要使用压敏粘结剂将载带粘结在热沉上。

TBGA适合于高I/O数应用的一种封装形式，I/O数可为200-1000，芯片的连接可以用倒装芯片再流，也可以用热压键合。

2.封装工艺流程

圆片减薄→圆片切割→芯片粘结→清洗→引线键合→等离子清洗→液态密封剂灌封→装配焊料球→回流焊→打标→终检查→测试→包装

芯片粘结：全阵列型芯片，用C4工艺；周边型金凸点芯片，热压键合。

装配焊料球：用微焊技术把焊球（10Sn90Pb）焊接到载带上，焊球的顶部熔进电镀通孔内，焊接后用环氧树脂将芯片包封。

FCBGA封装工艺流程

1.FCGBA基板制作

FCGBA基板制作是将多层陶瓷片高温共烧成多层陶瓷金属化基片，再在基片上制作多层金属布线，然后进行电镀等。

2.封装工艺流程

圆片凸点的制备→圆片切割→芯片倒装及回流焊→底部填充→导热脂、密封焊料的分配→封盖→装配焊料球→回流焊→打标→分离终检查→测试→包封

倒装焊接：克服了引线键合焊盘中心距极限的问题，在芯片的电源/地线分布设计上提供了更多便利，为高频率、大功率器件提供更完善的信号。

基板选择：关键因素在于材料的热膨胀系数（CTE）、介电常数、介质损耗、电阻率和导热率等。

凸点技术：常用的凸点材料为金凸点，95Pb5Sn、90Pb10Sn焊料球（回流焊温度约为350℃）。技术的关键在于当节距缩小时，必须保持凸点尺寸的稳定性。焊料凸点尺寸的一致性及其共面性对倒装焊的合格率有极大的影响。

CBGA封装工艺流程

相比于PBGA和TBGA，CBGA有些许不同，主要表现在三个方面：

1.CBGA的基板是多层陶瓷布线基板，PBGA的基板是BT多层布线基板，TBGA基板是加强环的聚酰亚胺（PI）多层Cu布线基板。

2.CBGA基板[敏感词]的焊球为90%Pb-10Sn%或95%Pb-5Sn%的高温焊球，而与基板和PWB焊接的焊料则为37%Pb-63Sn%的共晶低温焊球

3.CBGA的封盖为陶瓷，使之成为气密性封装；而PBGA和TBGA则为塑料封装，非气密性封装。